Press-Pack IGBTs - Kapselgehäuse
Bipolartransistoren mit isoliertem Gate zeichnen sich vor allem durch ein gutes Durchlassverhalten, ihre hohen Sperrspannungen, eine extreme Robustheit und eine nahezu leistungslose Ansteuerung aus. Die Durchlassverluste bei hohen Strömen sind bei IGBTs kleiner als bei vergleichbaren Feldeffekttransistoren. Unsere IGBTs sind mit Nennspannungen vom 1,7 kV (900 V DC link), 2,5 kV (1,25 kV DC link), 4,5 kV (2,8 kV DC link) und 6,5 kV (3,8 kV DC link) erhältlich. Typische Anwendungsgebiete sind HVDC, aktive VAR-Steuerungen und Mittelspannungsantriebe.
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