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Press-Pack IGBTs - Kapselgehäuse

Kurzbeschreibung

Bipolartransistoren mit isoliertem Gate zeichnen sich vor allem durch ein gutes Durchlassverhalten, ihre hohen Sperrspannungen, eine extreme Robustheit und eine nahezu leistungslose Ansteuerung aus. Die Durchlassverluste bei hohen Strömen sind bei IGBTs kleiner als bei vergleichbaren Feldeffekttransistoren.

Unsere IGBTs sind mit Nennspannungen vom 1,7 kV (900 V DC link), 2,5 kV (1,25 kV DC link), 4,5 kV (2,8 kV DC link) und 6,5 kV (3,8 kV DC link) erhältlich. Typische Anwendungsgebiete sind HVDC, aktive VAR-Steuerungen und Mittelspannungsantriebe.

Produktrange

VCES: 1700 V 6500 V
Ic(dc): 160 A 2960 A
Durchmesser: 47 mm 132 mm

 

Produktmatrix

GTO Thyristoren

GTO Kapselthyristoren

GTO Thyristoren sind immer noch die Komponente der Wahl, wenn Umrichter mit sehr großer Leistung erforderlich sind.

Soft Recovery Kapseldioden

Soft Recovery Kapseldioden

Soft Recovery Dioden kommen vor allem in Anwendungen zum Einsatz, die eine langsame Erholungszeit benötigen.

Fast Recovery Kapseldioden

Fast Recovery Kapseldioden

Diese Kapseldioden eignen sich besonders für den Einsatz in GTO-Thyristor-, Fast-Thyristor-Umrichtern und Choppern als antiparallele Dioden.