Extra Fast Recovery Dioden - Kapselgehäuse
Unsere Extra Fast Recovery Dioden werden mit modernsten Technologien hergestellt. Dies stellt die niedrigsten zweckmäßigen Erholungsströme bei gleichzeitig maximalem betriebssicheren Funktionsbereich und hohem di/dt Potential sicher. Sie kommen in modernen Schaltanwendungen mit IGBT's, IGCT's oder gepulsten Anwendungen zum Einsatz.
Produktmatrix
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